|
Шифр лота |
2014-14-576-0132 |
|
Тема лота |
Разработка технологии получения полупроводниковых фоточувствительных материалов для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров. |
| Шифр заявки и тема заявки | Головной исполнитель и руководитель работ | Начальная цена заявки | Состояние |
|---|---|---|---|
|
Шифр заявки: 2014-14-576-0132-028 Разработка технологии выращивания методом жидкофазной эпитаксии гетероструктур кадмий-ртуть-теллур со слоями n- и p-типа электропроводности для фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. |
Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" Руководитель работ: |
16.2 млн. руб
2014 г. - 6.5 млн. руб 2015 г. - 2.4 млн. руб 2016 г. - 7.3 млн. руб |
Победитель |
|
Шифр заявки: 2014-14-576-0132-027 Разработка технологии получения фоточувствительных материалов и многоэлементных фотоприемников на их основе для спектральных областей 2.5-3.5; 2.5-4.5; 2.5-5.5 мкм на основе диодных гетероструктур из твердых растворов арсенида индия |
Oбщество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД" Руководитель работ: |
16.2 млн. руб
2014 г. - 6.5 млн. руб 2015 г. - 2.4 млн. руб 2016 г. - 7.3 млн. руб |
Победитель |
|
Шифр заявки: 2014-14-576-0132-026 Разработка научных основ технологии выращивания наногетероэпитаксиальных P+/n структур узкозонных полупроводников методом молекулярно-лучевой эпитаксии для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук Руководитель работ: |
16.2 млн. руб
2014 г. - 6.5 млн. руб 2015 г. - 2.4 млн. руб 2016 г. - 7.3 млн. руб |
Победитель |