|
Шифр лота |
2017-14-576-0006 |
|
Тема лота |
Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков. |
| Шифр заявки и тема заявки | Руководитель работ | Начальная цена заявки | Состояние |
|---|---|---|---|
|
Шифр заявки: 2017-14-576-0006-003 Разработка нового класса функциональных полупроводниковых структур на подложках из широкозонных полупроводников и диэлектриков |
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" Руководитель работ: |
9 млн. руб
2017 г. - 5 млн. руб 2018 г. - 4 млн. руб |
Отклонена от участия в конкурсе |
|
Шифр заявки: 2017-14-576-0006-019 Разработка нового класса in situ пассивированных AlN/GaN полупроводниковых гетероструктур на подложках AlN для перспективных образцов СВЧ техники |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук Руководитель работ: |
9 млн. руб
2017 г. - 5 млн. руб 2018 г. - 4 млн. руб |
Отклонена от участия в конкурсе |